瞬時(shí)記憶：當(dāng)客觀刺激停止作用后，感覺(jué)信息在一個(gè)極短的時(shí)間內(nèi)保存下來(lái)，這就是長(zhǎng)時(shí)記憶；內(nèi)隱記憶；外顯記憶
記憶的生物學(xué)基礎(chǔ)
均勢(shì)說(shuō)；定位說(shuō)；SPI理論
反響回路：指神經(jīng)系統(tǒng)中皮層和皮層下組織之間存在的某種閉合的神經(jīng)環(huán)路。
遺忘與記憶的保持
遺忘是指識(shí)記過(guò)的東西，不能再認(rèn)或回憶，或錯(cuò)誤的再認(rèn)或回憶。記憶的內(nèi)容不能保持或者提取時(shí)有困難。
艾賓浩斯遺忘曲線（2005，簡(jiǎn)，2） ：他用無(wú)意義音節(jié)為材料，證明：遺忘是一個(gè)先快后慢的過(guò)程。
引起遺忘的原因（2002，簡(jiǎn)，2） ：由抑制或干擾引起遺忘、有壓抑造成的遺忘、由衰退引起遺忘、由線索提取引起的遺忘、由腦損傷引起的遺忘
進(jìn)行有效的復(fù)習(xí)，提高記憶效率（2007，論，1）：
1）及時(shí)復(fù)習(xí)
2）正確地分配復(fù)習(xí)時(shí)間
3）反復(fù)閱讀和試圖回憶相結(jié)合
4）注意排除前后材料的相互影響
5）利用外部記憶手段
內(nèi)隱記憶
內(nèi)隱記憶與外顯記憶的關(guān)系（2004，簡(jiǎn)，3）
1）加工深度因素的影響不同，被試的內(nèi)隱記憶并未受到作業(yè)任務(wù)類型的影響，而外顯記憶則明顯受到了影響
2）保持時(shí)間不同
3）記憶負(fù)荷量的變化產(chǎn)生的影響不同
4）呈現(xiàn)的方式的影響不同
5）干擾因素的影響不同
本文來(lái)自：逍遙右腦記憶 http://portlandfoamroofing.com/jiyishu/83187.html
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